GP30J/4F-E3,GP30J/4F-E3 pdf中文资料,GP30J/4F-E3引脚图,GP30J/4F-E3电路-Datasheet-电子工程世界

GP30J/4F-E3: 产品描述DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小289KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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GP30J/4F-E3概述

DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	DO-201AD
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值正向电流	125 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT APPLICABLE
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向恢复时间	5 µs
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT APPLICABLE

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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