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ST25C02AM6

产品描述256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SO-8
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文件大小323KB,共9页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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ST25C02AM6概述

256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SO-8

ST25C02AM6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)0.1 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度5.3 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.03 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度5.25 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms

ST25C02AM6相似产品对比

ST25C02AM6 ST25C02AB3 ST25C02AB6 ST25C02AM1 ST25C02AM1013TR ST25C02AB1 ST25C02AM3 ST25C02AM6013TR
描述 256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SO-8 256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, SDIP-8 256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SO-8 256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SO-8 256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, SDIP-8 256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SO-8 256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, SO-8
零件包装代码 SOIC DIP DIP SOIC SOIC DIP SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 SOP, DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 SOP,
针数 8 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant unknown not_compliant not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS I2C INTERFACE; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES.; DATA RETENTION > 10 YEARS 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS I2C INTERFACE; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES.; DATA RETENTION > 10 YEARS 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS
最大时钟频率 (fCLK) 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz 0.1 MHz
数据保留时间-最小值 10 10 10 10 10 10 10 10
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
内存密度 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8 8
字数 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words
字数代码 256 256 256 256 256 256 256 256
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 125 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C - - - -40 °C -40 °C
组织 256X8 256X8 256X8 256X8 256X8 256X8 256X8 256X8
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP DIP SOP SOP DIP SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.03 mm 5.08 mm 5.9 mm 2.03 mm 2.03 mm 5.9 mm 1.75 mm 2.03 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES YES NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL AUTOMOTIVE INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL AUTOMOTIVE INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 5.25 mm 7.62 mm 7.62 mm 5.25 mm 5.25 mm 7.62 mm 3.9 mm 5.25 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 -
厂商名称 ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles -
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR - 1010DDDR 1010DDDR -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 - e0 e0 -
长度 5.3 mm - 9.55 mm 5.3 mm 5.3 mm 9.55 mm 4.9 mm 5.3 mm
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25 - DIP8,.3 SOP8,.25 -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V - 3/5 V 3/5 V -
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A - 0.000005 A 0.000005 A -
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA - 0.002 mA 0.002 mA -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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