M27V512-90K6,M27V512-90K6 pdf中文资料,M27V512-90K6引脚图,M27V512-90K6电路-Datasheet-电子工程世界

M27V512-90K6: 产品描述M27V512-90K6, PLCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小734KB，共14页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M27V512-90K6概述

M27V512-90K6, PLCC-32

M27V512-90K6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
包装说明	PLCC-32
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	90 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
端子数量	32
字数	65536 words
字数代码	64000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
电源	3.3/5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.03 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD

M27V512-90K6相似产品对比

	M27V512-90K6	M27V512-90B1	M27V512-90B6	M27V512-90F1	M27V512-90F6	M27V512-90K1	M27V512-90N6
描述	M27V512-90K6, PLCC-32	M27V512-90B1, DIP6-28	M27V512-90B6, DIP6-28	M27V512-90F1, DIP6-28	M27V512-90F6, DIP6-28	M27V512-90K1, PLCC-32	M27V512-90N6, TSOP-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
包装说明	PLCC-32	DIP6-28	DIP6-28	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	PLCC-32	TSOP-28
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-XDIP-T28	R-XDIP-T28	R-PQCC-J32	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	UVPROM	UVPROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
端子数量	32	28	28	28	28	32	28
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	DIP	DIP	DIP	DIP	QCCJ	TSSOP
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	LDCC32,.5X.6	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源	3.3/5 V	3.3/5 V	3.3/5 V	3.3/5 V	3.3/5 V	3.3/5 V	3.3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
表面贴装	YES	NO	NO	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	GULL WING
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	0.55 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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