0.2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
0.2 A 半桥 场效应管驱动器, PDSO8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | MS-012AA, SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 高边驱动器 | YES |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.89 mm |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 标称输出峰值电流 | 0.35 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最大供电电压 | 20 V |
| 最小供电电压 | 5 V |
| 标称供电电压 | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 断开时间 | 0.028 µs |
| 接通时间 | 0.03 µs |
| 宽度 | 3.9 mm |
| IRS2301S | IRS2301SPBF | IRS2301 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 0.2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 | 0.2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 | 0.2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 表面贴装 | YES | YES | Yes |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | - |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | - |
| 包装说明 | MS-012AA, SOIC-8 | ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8 | - |
| 针数 | 8 | 8 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 高边驱动器 | YES | YES | - |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
| 长度 | 4.89 mm | 4.9 mm | - |
| 湿度敏感等级 | 2 | 2 | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - |
| 标称输出峰值电流 | 0.35 A | 0.2 A | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | SOP | SOP | - |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - |
| 电源 | 15 V | 15 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm | - |
| 最大供电电压 | 20 V | 20 V | - |
| 最小供电电压 | 5 V | 5 V | - |
| 标称供电电压 | 15 V | 15 V | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | - |
| 断开时间 | 0.028 µs | 0.28 µs | - |
| 接通时间 | 0.03 µs | 0.3 µs | - |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm | - |
| 器件名 | 厂商 | 描述 |
|---|---|---|
| IRS2301S | Infineon(英飞凌) | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IRS2301SPBF | International Rectifier （ Infineon ） | 0.2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| IRS2301SPBF | Infineon(英飞凌) | 高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动 |
| IRS2301STR | Infineon(英飞凌) | MOSFET Driver, CMOS, PDSO8 |
| IRS2301STR | International Rectifier （ Infineon ） | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 0.35A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8 |
| IRS2301STRPBF | International Rectifier （ Infineon ） | 0.2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| IRS2301STRPBF | Infineon(英飞凌) | Real Time Clock 64x8 Serial I2C RTC |
| NCP4330DR2G | ON Semiconductor(安森美) | Gate Drivers Secondary Side Synchronous |
| NCP4330DR2G | Rochester Electronics | BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, LEAD FREE, DSO-8 |
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