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1N4001GP-AP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小504KB,共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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1N4001GP-AP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

1N4001GP-AP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N4001GP
THRU
1N4007GP
1 Amp Glass
PassivatedRectifier
50 - 1000 Volts
DO-41
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Glass Passivated Junction
Low Current Leakage and Low Cost
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 20
°C/W
Junction To Lead
MCC
Catalog
Number
1N4001GP
1N4002GP
1N4003GP
1N4004GP
1N4005GP
1N4006GP
1N4007GP
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
1.0A
30A
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
T
A
= 75°C
8.3ms, half sine
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
D
1N4001GP
1N4002GP
1N4003GP
1N4004GP
1N4005GP
1N4006GP
1N4007GP
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
Maximum Reverse
Recovery Time
Note:
I
F(AV)
I
FSM
C
V
F
1.1V
I
FM
= 1.0A;
T
J
= 25°C*
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
DIMENSIONS
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
I
R
5.0µA
50µA
15pF
2.0us
C
J
T
rr
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
1.
High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Revision: B
www.mccsemi.com
1 of 4
2013/01/01

 
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