QS8780-20DM,QS8780-20DM pdf中文资料,QS8780-20DM引脚图,QS8780-20DM电路-Datasheet-电子工程世界

QS8780-20DM: 产品描述Cache Tag SRAM, 4KX4, 19ns, CMOS, CDIP22,; 产品类别存储存储; 文件大小161KB，共9页; 制造商Quality Semiconductor Inc

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QS8780-20DM概述

Cache Tag SRAM, 4KX4, 19ns, CMOS, CDIP22,

QS8780-20DM规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Quality Semiconductor Inc
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	19 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T22
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	22
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	4KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL

QS8780-20DM相似产品对比

	QS8780-20DM	QS8780-25VM	QS8780-20VM	QS8780-15VM	QS8780-15PM	QS8780-25DM	QS8780-20PM	QS8780-15DM	QS8780-25PM
描述	Cache Tag SRAM, 4KX4, 19ns, CMOS, CDIP22,	Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, PDSO24,	Cache Tag SRAM, 4KX4, 19ns, CMOS, PDSO24,	Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, PDSO24,	Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, PDIP22,	Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, CDIP22,	Cache Tag SRAM, 4KX4, 19ns, CMOS, PDIP22,	Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, CDIP22,	Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, PDIP22,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	19 ns	25 ns	19 ns	15 ns	15 ns	25 ns	19 ns	15 ns	25 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T22	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDIP-T22	R-GDIP-T22	R-PDIP-T22	R-GDIP-T22	R-PDIP-T22
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	24	24	24	22	22	22	22	22
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Quality Semiconductor Inc	Quality Semiconductor Inc	-	-	Quality Semiconductor Inc	Quality Semiconductor Inc	Quality Semiconductor Inc	Quality Semiconductor Inc	Quality Semiconductor Inc

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