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MT45W2MW16BFB-851LWT

产品描述Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, VFBGA-54
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文件大小710KB,共56页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT45W2MW16BFB-851LWT概述

Pseudo Static RAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, VFBGA-54

MT45W2MW16BFB-851LWT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, VFBGA-54
针数54
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B54
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量54
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
组织2MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA54,6X9,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源1.8,1.8/3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大待机电流0.00009 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度6 mm

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4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
BURST
CellularRAM
TM
Features
• Single device supports asynchronous, page, and burst
operations
• V
CC
, V
CC
Q Voltages
1.70V–1.95V V
CC
1.70V–3.30V V
CC
Q
• Random Access Time: 70ns
• Burst Mode Write Access
Continuous burst
• Burst Mode Read Access
4, 8, or 16 words, or continuous burst
MAX clock rate: 104 MHz (
t
CLK = 9.62ns)
Burst initial latency: 39ns (4 clocks) @ 104 MHz
t
ACLK: 6.5ns @ 104 MHz
MT45W4MW16BFB
MT45W2MW16BFB
Figure 1: 54-Ball VFBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
LB#
2
OE#
3
A0
4
A1
5
A2
6
CRE
DQ8
UB#
A3
A4
CE#
DQ0
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ11
A17
A7
DQ3
V
CC
• Page Mode Read Access
Sixteen-word page size
Interpage read access: 70ns
Intrapage read access: 20ns
• Low Power Consumption
Asynchronous READ < 25mA
Intrapage READ < 15mA
Initial access, burst READ: (39ns [4 clocks]
@ 104 MHz) < 35mA
Continuous burst READ < 15mA
Standby: 120µA (64Mb), 110µA (32MB)—standard
100µA (64Mb), 90µA (32Mb)—low-power option
Deep power-down < 10µA
• Low-Power Features
Temperature Compensated Refresh (TCR)
Partial Array Refresh (PAR)
Deep Power-Down (DPD) Mode
Options
• Configuration:
4 Meg x 16
2 Meg x 16
V
CC
Core Voltage Supply: 1.8V
V
CC
Q I/O Voltage: 1.8V
• Package
54-ball VFBGA
54-ball VFBGA—Lead-free
• Timing
60ns access
70ns access
85ns access
Designator
MT45W4MW16B
MT45W2MW16B
V
CC
Q
DQ12
A21
A16
DQ4
V
SS
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
DQ15
A19
A12
A13
WE#
DQ7
A18
A8
A9
A10
A11
A20
WAIT
CLK
ADV#
NC
NC
NC
Top View
(Ball Down)
Options
(continued)
• Frequency
66 MHz
80 MHz
104 MHz
• Standby power
Standard
Low-power
• Operating Temperature Range
Wireless (-30°C to +85°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
NOTE:
Designator
6
8
1
1
None
L
WT
2
IT
1
FB
BB
1
-60
1
-70
-85
1. Contact factory.
2. -30°C exceeds the CellularRAM Workgroup 1.0
specification of -25°C.
Part Number Example:
MT45W2MW16BFB-706LWT
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Burst CellularRAM_1.fm - Rev. D 9/04 EN
1
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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