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CMHD4448TR

产品描述RECTIFIER DIODE,100V V(RRM),SOD-123
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小363KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMHD4448TR概述

RECTIFIER DIODE,100V V(RRM),SOD-123

整流二极管,100V V(RRM),SOD-123

CMHD4448TR规格参数

参数名称属性值
元件数量1
each_compliYes
状态Active
二极管类型RECTIFIER DIODE
结构SINGLE
最大正向电压0.7200 V
最大非重复峰值正向电流4 A
最大工作温度150 Cel
最大输出电流0.2500 A
最大重复峰值反向电压100 V
反向恢复时间最大0.0040 µs
sub_categoryRectifier Diodes
表面贴装YES

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CMHD4448
SURFACE MOUNT
HIGH SPEED SILICON
SWITCHING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD4448 type is
a ultra-high speed silicon switching diode manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
SOD-123 surface mount package, designed for high
speed switching applications.
MARKING CODE: C48
SOD-123 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
75
100
250
500
4.0
1.0
400
-65 to +150
312.5
UNITS
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
IR
IR
IR
BVR
VF
VF
CT
trr
TEST CONDITIONS
VR=20V
VR=20V, TC=25°C
VR=75V
IR=100μA
IF=5.0mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
VR=6.0V, IF=10mA, IR=1.0mA, RL=100Ω
100
0.62
0.72
1.0
4.0
4.0
MIN
MAX
25
50
5.0
UNITS
nA
μA
μA
V
V
V
pF
ns
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