Operational Amplifier, 1 Func, 15000uV Offset-Max, BIMOS, MBCY8, TO-5, DIL, CAN-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | , TO-5,8PIN,DIL |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA |
| 标称共模抑制比 | 90 dB |
| 频率补偿 | NO |
| 最大输入失调电压 | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装等效代码 | TO-5,8PIN,DIL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/+-7.5/15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称压摆率 | 30 V/us |
| 最大压摆率 | 15 mA |
| 供电电压上限 | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 15000 kHz |
| 最小电压增益 | 50000 |
| CA3130S3 | CA3130AS | CA3130S/883 | CA3130H | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifier, 1 Func, 15000uV Offset-Max, BIMOS, MBCY8, TO-5, DIL, CAN-8 | Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIMOS, MBCY8 | Operational Amplifier, 1 Func, 15000uV Offset-Max, BICMOS, MBCY8, DIL CAN-8 | Operational Amplifier, 1 Func, 15000uV Offset-Max, BIMOS |
| 包装说明 | , TO-5,8PIN,DIL | , TO-5,8PIN,DIL | , | DIE, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 标称共模抑制比 | 90 dB | 90 dB | 90 dB | 90 dB |
| 最大输入失调电压 | 15000 µV | 5000 µV | 15000 µV | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 | O-MBCY-W8 | O-MBCY-W8 | X-XUUC-N8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | UNCASED CHIP |
| 标称压摆率 | 30 V/us | 30 V/us | 30 V/us | 30 V/us |
| 供电电压上限 | 16 V | 16 V | 8 V | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 7.5 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | YES |
| 技术 | BIMOS | BIMOS | BICMOS | BIMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | UPPER |
| 标称均一增益带宽 | 15000 kHz | 15000 kHz | 15000 kHz | 15000 kHz |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA | 0.00003 µA | - | 0.00005 µA |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大压摆率 | 15 mA | 15 mA | - | 15 mA |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 最小电压增益 | 50000 | 50000 | - | 50000 |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 | 1 |
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