K4S511633C-YN1H,K4S511633C-YN1H pdf中文资料,K4S511633C-YN1H引脚图,K4S511633C-YN1H电路-Datasheet-电子工程世界

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K4S511633C-YN1H: 产品描述Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54; 产品类别存储存储; 文件大小62KB，共8页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4S511633C-YN1H概述

Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54

K4S511633C-YN1H规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA54,9X9,32
针数	54
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B54
JESD-609代码	e0
长度	15.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.3 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.335 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9.5 mm

K4S511633C-YN1H相似产品对比

	K4S511633C-YN1H	K4S511633C-YL1H	K4S511633C-YP1H	K4S511633C-YN1L	K4S511633C-YP1L	K4S511633C-YL1L	K4S511633C-YP80	K4S511633C-YN80	K4S511633C-YL80
描述	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, CSP-54	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, CSP-54	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, CSP-54	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, CSP-54
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA54,9X9,32	LFBGA, BGA54,9X9,32	LFBGA,	LFBGA, BGA54,9X9,32	LFBGA,	LFBGA, BGA54,9X9,32	LFBGA,	LFBGA, BGA54,9X9,32	LFBGA, BGA54,9X9,32
针数	54	54	54	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	compliant	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	6 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54
长度	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54	54	54	54
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-40 °C	-25 °C	-40 °C	-25 °C	-40 °C	-25 °C	-25 °C
组织	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	-	不符合	-	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz	-	100 MHz	-	100 MHz	-	125 MHz	125 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	-	COMMON	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	-	1,2,4,8	-	1,2,4,8	-	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	-	e0	-	e0	e0
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	-	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	-	BGA54,9X9,32	-	BGA54,9X9,32	-	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3 V	3 V	-	3 V	-	3 V	-	3 V	3 V
刷新周期	8192	8192	-	8192	-	8192	-	8192	8192
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	-	0.002 A	-	0.002 A	-	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.335 mA	0.335 mA	-	0.305 mA	-	0.305 mA	-	0.35 mA	0.35 mA
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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