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MSM511666C-60JS

产品描述EDO DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
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文件大小272KB,共17页
制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd
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MSM511666C-60JS概述

EDO DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40

MSM511666C-60JS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ40,.44
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度8
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J40
JESD-609代码e0
长度26.03 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ40,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
座面最大高度3.75 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

 
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