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MJD29C-1: 产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小79KB，共2页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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MJD29C-1概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

MJD29C-1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	15 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz
VCEsat-Max	0.7 V

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MJD29C-1相似产品对比

	MJD29C-1	MJD29C-T1	MJD29-1	MJD29-T1
描述	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	100 V	100 V	40 V	40 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15	15	15	15
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	2	3	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	15 W	15 W	15 W	15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	NO	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz	3 MHz	3 MHz	3 MHz
VCEsat-Max	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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