1.5A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 应用 | EFFICIENCY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最大输出电流 | 1.5 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 50 V |
| 最大反向电流 | 10 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.035 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| BYW100-50RL | BYW100-150RL | |
|---|---|---|
| 描述 | 1.5A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 1.5A, 150V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 应用 | EFFICIENCY | EFFICIENCY |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.2 V | 1.2 V |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A | 50 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 最大输出电流 | 1.5 A | 1.5 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | 1.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 50 V | 150 V |
| 最大反向电流 | 10 µA | 10 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.035 µs | 0.035 µs |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL |
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