MSM514100D-70SJ,MSM514100D-70SJ pdf中文资料,MSM514100D-70SJ引脚图,MSM514100D-70SJ电路-Datasheet-电子工程世界

MSM514100D-70SJ: 产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/20; 产品类别存储存储; 文件大小280KB，共18页; 制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd

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MSM514100D-70SJ概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/20

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ20/26,.34
针数	20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDSO-J20
JESD-609代码	e0
长度	17.15 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ20/26,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	3.55 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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