Dual-Port SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100 |
| 针数 | 100 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 最长访问时间 | 65 ns |
| 其他特性 | IT CAN OPERATE ALSO 2.5 AND 3.3 VOLT |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B100 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 6 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 6 mm |
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