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NE28HC64-90

产品描述EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32
产品类别存储    存储   
文件大小282KB,共8页
制造商LSC/CSI
官网地址https://lsicsi.com
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NE28HC64-90概述

EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32

NE28HC64-90规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LSC/CSI
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE;PAGE WRITE;BULK ERASE
命令用户界面NO
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
页面大小32 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00025 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
最长写入周期时间 (tWC)2 ms

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