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M5M4V4190RT-8ST

产品描述Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
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文件大小1MB,共29页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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M5M4V4190RT-8ST概述

Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

M5M4V4190RT-8ST规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2-R,
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G40
长度18.41 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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