DDR DRAM, 16MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SK Hynix(海力士) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
针数 | 84 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.3 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 500 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 84 |
字数 | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 16MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA84,9X15,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 4,8 |
最大待机电流 | 0.008 A |
最大压摆率 | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.1 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 8 mm |
HY5PS561621AFP-2 | HY5PS561621AFP-25 | HY5PS561621AFP-22 | HY5PS561621AFP-33 | HY5PS561621AFP-28 | |
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描述 | DDR DRAM, 16MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 | DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 | DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 | DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 | DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA84,9X15,32 | TFBGA, BGA84,9X15,32 | TFBGA, BGA84,9X15,32 | TFBGA, BGA84,9X15,32 | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
针数 | 84 | 84 | 84 | 84 | 84 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.3 ns | 0.4 ns | 0.35 ns | 0.45 ns | 0.45 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 500 MHz | 400 MHz | 454 MHz | 303 MHz | 357 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 | R-PBGA-B84 | R-PBGA-B84 | R-PBGA-B84 | R-PBGA-B84 |
JESD-609代码 | e1 | e1 | e1 | e1 | e1 |
长度 | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm |
内存密度 | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 84 | 84 | 84 | 84 | 84 |
字数 | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
组织 | 16MX16 | 16MX16 | 16MX16 | 16MX16 | 16MX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
封装等效代码 | BGA84,9X15,32 | BGA84,9X15,32 | BGA84,9X15,32 | BGA84,9X15,32 | BGA84,9X15,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | 260 | 260 |
电源 | 2 V | 1.8 V | 2 V | 1.8 V | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES | YES |
连续突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
最大待机电流 | 0.008 A | 0.008 A | 0.008 A | 0.008 A | 0.008 A |
最大压摆率 | 0.27 mA | 0.25 mA | 0.26 mA | 0.23 mA | 0.24 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.1 V | 2.1 V | 2.1 V | 2.1 V | 2.1 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.7 V | 1.9 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2 V | 1.8 V | 2 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
宽度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
厂商名称 | SK Hynix(海力士) | - | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) |
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