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IDT71B79S10Y

产品描述Cache Tag SRAM, 8KX9, 10ns, BICMOS, PDSO28, SOJ-28
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文件大小43KB,共2页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71B79S10Y概述

Cache Tag SRAM, 8KX9, 10ns, BICMOS, PDSO28, SOJ-28

IDT71B79S10Y规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度17.9324 mm
内存密度73728 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.5184 mm
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