Synchronous DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-144
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | LFBGA, |
| 针数 | 144 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B144 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 12 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 144 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 宽度 | 12 mm |
| IS43R32400B-5BL | IS43R32400B-5B | |
|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-144 | Synchronous DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-144 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | LFBGA, | LFBGA, |
| 针数 | 144 | 144 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B144 | S-PBGA-B144 |
| JESD-609代码 | e1 | e0 |
| 长度 | 12 mm | 12 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit | 134217728 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 144 | 144 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4MX32 | 4MX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFBGA | LFBGA |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm | 1.4 mm |
| 自我刷新 | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 12 mm | 12 mm |
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