M29W800AT80ZA1,M29W800AT80ZA1 pdf中文资料,M29W800AT80ZA1引脚图,M29W800AT80ZA1电路-Datasheet-电子工程世界

M29W800AT80ZA1: 产品描述512KX16 FLASH 3V PROM, 80ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小721KB，共40页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M29W800AT80ZA1概述

512KX16 FLASH 3V PROM, 80ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,32
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	80 ns
其他特性	20 YEARS DATA RETENTION; TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度	8
启动块	TOP
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
数据保留时间-最小值	20
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	9 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,15
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	6 mm

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