MR27V402E-XXXRP,MR27V402E-XXXRP pdf中文资料,MR27V402E-XXXRP引脚图,MR27V402E-XXXRP电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MR27V402E-XXXRP

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MR27V402E-XXXRP: 产品描述MASK ROM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-40; 产品类别存储存储; 文件大小105KB，共11页; 制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd

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MR27V402E-XXXRP概述

MASK ROM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-40

MR27V402E-XXXRP规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP40,.6
针数	40
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDIP-T40
长度	51.98 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	40
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm

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FEDR27V402E-02-02

1

Semiconductor

MR27V402E

GENERAL DESCRIPTION

This version

: Jun. 2001

Previous version: Jan. 2001

262,144–Word

×

16–Bit or 524,288–Word

×

8–Bit Production Programmed Read Only Memory (P2ROM)

The MR27V402E is a 4 Mbit Production Programmed Read-Only Memory (P2ROM ) that can be electrically

switched between 262,144-word

×

16-bit and 524,288-word

×

8-bit by the state of the

BYTE

pin. The MR27V402E

supports high speed asynchronous read operation using a single 3.3V power supply.

FEATURES

· 262,144-word

×

16-bit/524,288-word

×

8-bit electrically switchable configuration

· +3.3 V power supply

· Access time

70 nS MAX

· Operating current

30 mA MAX

· Standby current

50 µA MAX

· Input/Output TTL compatible

· Three-state output

· Packages:

40-pin plastic DIP (DIP40-P-600-2.54)

(Product Name : MR27V402E-xxxRP)

40-pin plastic SOP (SOP40-P-525-1.27-K)

(Product Name : MR27V402E-xxxMP)

44-pin plastic TSOP (TSOP(2)44-P-400-0.80-K) (Product Name : MR27V402E-xxxTP)

1/11

MR27V402E-XXXRP相似产品对比

	MR27V402E-XXXRP	MR27V402E-XXXMP	MR27V402E-XXXTP
描述	MASK ROM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-40	MASK ROM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-40	MASK ROM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
零件包装代码	DIP	SOIC	TSOP2
包装说明	DIP, DIP40,.6	SOP, SOP40,.56	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	40	40	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	70 ns	70 ns	70 ns
备用内存宽度	8	8	8
JESD-30 代码	R-PDIP-T40	R-PDSO-G40	R-PDSO-G44
长度	51.98 mm	26 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端子数量	40	40	44
字数	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX16	256KX16	256KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOP	TSOP2
封装等效代码	DIP40,.6	SOP40,.56	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	2.5 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	10.7 mm	10.16 mm
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	-
Base Number Matches	-	1	1

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