EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | 2 WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION 100 YEARS; 1 MILLION ENDURANCE WRITE CYCLES |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDMR |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.59 mm |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 512 words |
字数代码 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512X8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000018 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
写保护 | HARDWARE |
AT24C04A-10PI | AT24C04A-10TC | |
---|---|---|
描述 | EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.170 INCH, PLASTIC, TSSOP-8 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | DIP | SOIC |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | TSSOP, TSSOP8,.25 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | 2 WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION 100 YEARS; 1 MILLION ENDURANCE WRITE CYCLES | 2 WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION 100 YEARS; 1 MILLION ENDURANCE WRITE CYCLES |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDMR | 1010DDMR |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 9.59 mm | 4.4 mm |
内存密度 | 4096 bit | 4096 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
字数 | 512 words | 512 words |
字数代码 | 512 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C |
组织 | 512X8 | 512X8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | TSSOP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | TSSOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 240 |
电源 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm | 1.2 mm |
串行总线类型 | I2C | I2C |
最大待机电流 | 0.000018 A | 0.000018 A |
最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 |
宽度 | 7.62 mm | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms |
写保护 | HARDWARE | HARDWARE |
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