LH604256K-10A概述

Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

LH604256K-10A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SHARP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-J20
JESD-609代码	e0
长度	17.2 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.25 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8.43 mm

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LH604256K-10A相似产品对比

	LH604256K-10A	LH604256D-10A	LH604256K-80A	LH604256Z-10A	LH604256D-80A	LH604256Z-80A
描述	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns	100 ns	80 ns	100 ns	80 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-J20	R-PDIP-T20	R-PDSO-J20	R-PZIP-T20	R-PDIP-T20	R-PZIP-T20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	17.2 mm	24.5 mm	17.2 mm	25.8 mm	24.5 mm	25.8 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	20	20	20	20	20	20
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	DIP	SOJ	ZIP	DIP	ZIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512	512	512
座面最大高度	3.7 mm	4.4 mm	3.7 mm	10.1 mm	4.4 mm	10.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.25 mm	2.54 mm	1.25 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	ZIG-ZAG	DUAL	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8.43 mm	7.62 mm	8.43 mm	2.85 mm	7.62 mm	2.85 mm
厂商名称	SHARP	-	-	SHARP	SHARP	SHARP

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