DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 1716446487 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.45 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N200 |
JESD-609代码 | e4 |
内存密度 | 17179869184 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 200 |
字数 | 268435456 words |
字数代码 | 256000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256MX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
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