CY62157DV30L-55BVI,CY62157DV30L-55BVI pdf中文资料,CY62157DV30L-55BVI引脚图,CY62157DV30L-55BVI电路-Datasheet-电子工程世界

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CY62157DV30L-55BVI: 产品描述512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共14页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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CY62157DV30L-55BVI概述

512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48

CY62157DV30L-55BVI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
零件包装代码	BGA
包装说明	6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	8 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	COMMERCIAL
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm

CY62157DV30L-55BVI相似产品对比

	CY62157DV30L-55BVI	CY62157DV30L-70BVXI	CY62157DV30L-70BVI	CY62157DV30L-55ZSI
描述	512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48	512KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48	512KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48	512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, TSOP2-44
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	TSOP2
包装说明	6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48	6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48	6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48	TSOP2-44
针数	48	48	48	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	55 ns	70 ns	70 ns	55 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e1	e0	e0
长度	8 mm	8 mm	8 mm	18.415 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	44
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	260	240	220
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1.194 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	BALL	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm	6 mm	6 mm	10.16 mm

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