HYM532414SLTNG-60,HYM532414SLTNG-60 pdf中文资料,HYM532414SLTNG-60引脚图,HYM532414SLTNG-60电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYM532414SLTNG-60

HYM532414SLTNG-60: 产品描述EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小231KB，共9页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM532414SLTNG-60概述

EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS

HYM532414SLTNG-60规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度	16
JESD-30 代码	R-XZMA-N72
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG

HYM532414SLTNG-60相似产品对比

	HYM532414SLTNG-60	HYM532414TNG-60	HYM532414SLTNG-80	HYM532414TNG-70	HYM532414TNG-80	HYM532414SLTNG-70
描述	EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS	EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS	EDO DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS	EDO DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS	EDO DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS	EDO DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	60 ns	80 ns	70 ns	80 ns	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度	16	16	16	16	16	16
JESD-30 代码	R-XZMA-N72	R-XZMA-N72	R-XZMA-N72	R-XZMA-N72	R-XZMA-N72	R-XZMA-N72
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048	2048	2048
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

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