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NSH05A03

产品描述2.6 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小287KB,共1页
制造商NDK
官网地址http://www.ndk.com/en/
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NSH05A03概述

2.6 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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5A Avg.
Item
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
動 ½ 接 合 温 度 範 囲
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
30 Volts
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
100
50Hz正弦半波抵抗負荷
Half Sine Wave, Resistive Load
SBD
Conditions
30
Tl=106℃,V
RM
=15V
(Tl: Lead Temperature)
Ta=25℃,V
RM
=15V
NSH05A03
■OUTLINE DRAWING(mm)
Unit
V
5.0
2.6
A
A
A
A
■最大定格 Maximum Ratings
7.85
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し
50Hz Half- Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
−40∼+150
−40∼+150
■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics
Item
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance
■APPROX. NET WEIGHT:0.16 g
Symbol
I
RM
V
FM
R
th(j-l)
R
th(c-a)
Conditions
T
j
=25℃, V
RM
=V
RRM
T
j
=25℃, I
FM
=5A
接合部½リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
Min.
Typ.
Max.
1
0.57
13
89
Unit
mA
V
℃/W
℃/W
*:アルミナ基板実装 /Alumina Substrate mounted (Soidering Lands= 2 × 3.5 mm , Both Sides)
■定格・特性曲線
FIG.1
FIG.2
FIG.3
FIG.4
FIG.5
FIG.6
FIG.7
FIG.5

 
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