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MH4M8B0TJ-6: 产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30; 产品类别存储存储; 文件大小494KB，共15页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MH4M8B0TJ-6概述

Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30

参数名称	属性值
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SIM30
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N30
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SIM30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	14.224 mm
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE

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