BF993: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小51KB，共1页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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BF993概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

BF993规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SIEMENS
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.05 A
最大漏极电流 (ID)	0.05 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
最小功率增益 (Gp)	25 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	SILICON

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BF993相似产品对比

	BF993	BF989	BFQ64
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-243
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	SOURCE	SOURCE	COLLECTOR
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	4	4	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W	0.2 W	1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最小漏源击穿电压	20 V	20 V	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.05 A	0.03 A	-
最大漏极电流 (ID)	0.05 A	0.03 A	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE	-
晶体管应用	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER

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