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GS8322Z18GB-250IVT

产品描述ZBT SRAM, 2MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119
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文件大小628KB,共39页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准  
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GS8322Z18GB-250IVT概述

ZBT SRAM, 2MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119

GS8322Z18GB-250IVT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
长度22 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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