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5962F9953602QXC

产品描述0.9A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小159KB,共25页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
相似器件已查找到2个与5962F9953602QXC功能相似器件
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5962F9953602QXC概述

0.9A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16

5962F9953602QXC规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL16,.3
针数16
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
高边驱动器YES
接口集成电路类型HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-CDFP-F16
JESD-609代码e4
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
标称输出峰值电流0.9 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度2.92 mm
最大供电电压20 V
最小供电电压12 V
标称供电电压15 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Gold (Au)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量300k Rad(Si) V
断开时间0.42 µs
接通时间0.425 µs
宽度6.73 mm

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Make change to VTHUV test specified under table I. - ro
DATE (YR-MO-DA)
00-03-07
APPROVED
R. MONNIN
B
Add device type 02. - ro
01-07-26
R. MONNIN
C
Make changes to I
LK
and +I
IN
tests as specified in table I. - ro
01-12-14
R. MONNIN
D
Make change to the high side floating supply offset voltage limit for device
type 02 as specified under 1.4. - ro
02-04-17
R. MONNIN
E
Add a new logic diagram for device type 02. - ro
03-04-15
R. MONNIN
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
E
15
E
16
E
17
E
18
REV
SHEET
PREPARED BY
RICK OFFICER
CHECKED BY
RAJESH PITHADIA
E
19
E
20
E
21
E
1
E
22
E
2
E
23
E
3
E
24
E
4
E
5
E
6
E
7
E
8
E
9
E
10
E
11
E
12
E
13
E
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43216
http://www.dscc.dla.mil
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED,
HIGH FREQUENCY HALF BRIDGE DRIVER,
MONOLITHIC SILICON
APPROVED BY
RAYMOND MONNIN
DRAWING APPROVAL DATE
99-06-29
REVISION LEVEL
E
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
24
5962-99536
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E332-03

5962F9953602QXC相似产品对比

5962F9953602QXC 5962R9953601TXC 5962F9953601V9A 5962F9953602V9A 5962F9953602VXC 5962F9953601VXC
描述 0.9A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 0.6A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, FP-16 0.6A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, UUC, DIE 0.9A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 0.9A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 1A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
零件包装代码 DFP DFP DIE DFP DFP DFP
包装说明 DFP, FL16,.3 DFP, FL16,.3 DIE, DIE OR CHIP DFP, DIE OR CHIP DFP, FL16,.3 DFP, FL16,.3
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
高边驱动器 YES YES YES YES YES YES
接口集成电路类型 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16 R-XUUC-N R-CDFP-F16 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16
功能数量 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
标称输出峰值电流 0.9 A 0.6 A 0.6 A 0.9 A 0.9 A 1 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DFP DIE DFP DFP DFP
封装等效代码 FL16,.3 FL16,.3 DIE OR CHIP DIE OR CHIP FL16,.3 FL16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK UNCASED CHIP FLATPACK FLATPACK FLATPACK
电源 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class T MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
最小供电电压 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
标称供电电压 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT FLAT NO LEAD FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL UPPER DUAL DUAL DUAL
总剂量 300k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子)
针数 16 16 - 16 16 16
JESD-609代码 e4 e4 e0 - e4 e0
端子数量 16 16 - 16 16 16
端子面层 Gold (Au) GOLD TIN LEAD - GOLD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - - 1.27 mm 1.27 mm
断开时间 0.42 µs 0.42 µs 0.42 µs 0.42 µs 0.42 µs -
接通时间 0.425 µs 0.36 µs 0.36 µs 0.425 µs 0.425 µs -
Base Number Matches - 1 1 1 1 -

与5962F9953602QXC功能相似器件

器件名 厂商 描述
IS9-2100ARH-8 Renesas(瑞萨电子) Gate Drivers RADIATION HARDENED HALF BRIDGE DRIVER WITH VS OF 150V
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