AS28C010CW-25/IT,AS28C010CW-25/IT pdf中文资料,AS28C010CW-25/IT引脚图,AS28C010CW-25/IT电路-Datasheet-电子工程世界

AS28C010CW-25/IT: 产品描述EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERDIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小322KB，共14页; 制造商Micross; 官网地址https://www.micross.com

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AS28C010CW-25/IT概述

EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERDIP-32

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micross
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	250 ns
其他特性	100 YEAR DATA RETENTION
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
数据保留时间-最小值	100
耐久性	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	42.2 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
页面大小	128 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.715 mm
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
宽度	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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