Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 200V V(RRM), Silicon,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor |
| 包装说明 | R-PSIP-W4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最小击穿电压 | 200 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-W4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 60 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最大输出电流 | 2 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
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