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NA03QSA035

产品描述Schottky Barrier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小264KB,共1页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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NA03QSA035概述

Schottky Barrier Diode

NA03QSA035规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压35 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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3A Avg.
Item
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
R.M.S. Forward Current
Surge Forward Current
動 ½ 接 合 温 度 範 囲
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
35 Volts
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
60
50Hz、正弦半波通電抵抗負荷
50Hz Half Sine Wave Resistive Load
SBD
Conditions
35
Ta=27℃*
V
RM
=15V
Tl=124℃
Tl:lead Temperature
V
RM
=15V
NA03QSA035
■OUTLINE DRAWING(mm)
Unit
V
1.5
3.0
A
A
A
A
■最大定格 Maximum Ratings
4.71
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し
50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
−40∼+150
−40∼+150
■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics
Item
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance
■APPROX. NET WEIGHT:0.03 g
Symbol
I
RM
V
FM
R
th(j-a)
R
th(j-l)
Conditions
T
j
=25℃, V
RM
=35V
T
j
=25℃, I
FM
=3A
接合部½周囲間
Junction to Ambient
接合部½リード間
Junction to Lead
Min.
Typ.
Max.
2
0.47
130
13
Unit
mA
V
℃/W
℃/W
ガラエポ基板実装
*プリント基板実装/Glass-Epoxy Substrate mounted (Soldering Lands= 2.0 × 1.5 mm, 2.0 × 3.5 mm)
■定格・特性曲線
FIG.1
FIG.2
FIG.3
FIG.4
FIG.5
FIG.6
FIG.7
FIG.8

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