IDT6116SA90DB,IDT6116SA90DB pdf中文资料,IDT6116SA90DB引脚图,IDT6116SA90DB电路-Datasheet-电子工程世界

IDT6116SA90DB: 产品描述Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24; 产品类别存储存储; 文件大小108KB，共11页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT6116SA90DB概述

Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP24,.6
针数	24
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	90 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0
长度	32.004 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	4.826 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	15.24 mm

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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