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THMR1N8E-8

产品描述IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
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文件大小703KB,共12页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THMR1N8E-8概述

IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM

THMR1N8E-8规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184,40
针数184
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间45 ns
其他特性SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)800 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
长度133.35 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织64MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度31.75 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
宽度4.8 mm

THMR1N8E-8相似产品对比

THMR1N8E-8 THMR1N8E-6 THMR1N8E-7
描述 IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184,40 DIMM, DIMM184,40 DIMM, DIMM184,40
针数 184 184 184
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间 45 ns 53 ns 45 ns
其他特性 SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK) 800 MHz 600 MHz 711 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
长度 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 184 184 184
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 64MX16 64MX16 64MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184,40 DIMM184,40 DIMM184,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 31.75 mm 31.75 mm 31.75 mm
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 4.8 mm 4.8 mm 4.8 mm
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