IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM184,40 |
| 针数 | 184 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 |
| 长度 | 133.35 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 184 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 64MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM184,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 31.75 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 4.8 mm |
| THMR1N8E-8 | THMR1N8E-6 | THMR1N8E-7 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM | IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM184,40 | DIMM, DIMM184,40 | DIMM, DIMM184,40 |
| 针数 | 184 | 184 | 184 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最长访问时间 | 45 ns | 53 ns | 45 ns |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX | SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX | SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz | 600 MHz | 711 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 |
| 长度 | 133.35 mm | 133.35 mm | 133.35 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE | RAMBUS DRAM MODULE | RAMBUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 184 | 184 | 184 |
| 字数 | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 | 64000000 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 64MX16 | 64MX16 | 64MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM184,40 | DIMM184,40 | DIMM184,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 31.75 mm | 31.75 mm | 31.75 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V | 2.63 V | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V | 2.37 V | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 4.8 mm | 4.8 mm | 4.8 mm |
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