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STGBL6NC60DI

产品描述13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小622KB,共18页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STGBL6NC60DI概述

13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252

13 A, 600 V, N沟道 IGBT, TO-252

STGBL6NC60DI规格参数

参数名称属性值
端子数量2
额定关断时间122 ns
最大集电极电流13 A
最大集电极发射极电压600 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量1
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间10.5 ns

STGBL6NC60DI相似产品对比

STGBL6NC60DI STGDL6NC60DI
描述 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252
端子数量 2 2
额定关断时间 122 ns 122 ns
最大集电极电流 13 A 13 A
最大集电极发射极电压 600 V 600 V
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子涂层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子位置 SINGLE SINGLE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量 1 1
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
晶体管类型 INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间 10.5 ns 10.5 ns

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