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HI4-508/883

产品描述Single-Ended Multiplexer, 1 Func, 8 Channel, CMOS, CQCC20
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小340KB,共11页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HI4-508/883概述

Single-Ended Multiplexer, 1 Func, 8 Channel, CMOS, CQCC20

HI4-508/883规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明QCCN, LCC20,.35SQ
Reach Compliance Codeunknown
模拟集成电路 - 其他类型SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码S-CQCC-N20
JESD-609代码e0
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
信道数量8
功能数量1
端子数量20
标称断态隔离度50 dB
最大通态电阻 (Ron)300 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC20,.35SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
最大信号电流0.02 A
最大供电电流 (Isup)2.4 mA
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
最长断开时间500 ns
最长接通时间500 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档解析

HI-508/883和HI-509/883强调兼容性,支持TTL和CMOS逻辑直接接口,逻辑高电平2.4V,无需外部上拉电阻。内部+5V参考电压确保稳定的开关阈值,与多种逻辑家族兼容。器件提供单端8通道或差分4通道配置,导通电阻最大400Ω,模拟信号范围±15V。break-before-make设计增强安全性,dielectric isolation技术提升可靠性。理想用于工业控制、自动化系统和仪器仪表,简化电路设计。

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

HI4-508/883相似产品对比

HI4-508/883 HI1-509/883 HI4-509/883 PHNR26513306
描述 Single-Ended Multiplexer, 1 Func, 8 Channel, CMOS, CQCC20 Differential Multiplexer, 1 Func, 4 Channel, CMOS, CDIP16 Differential Multiplexer, 1 Func, 4 Channel, CMOS, CQCC20 Fixed Resistor, 4.5W, 30000000ohm, 22500V, 5% +/-Tol, 80ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED
包装说明 QCCN, LCC20,.35SQ DIP, DIP16,.3 QCCN, LCC20,.35SQ AXIAL LEADED
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown
JESD-609代码 e0 e0 e0 e3
端子数量 20 16 20 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 200 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -40 °C
封装形状 SQUARE RECTANGULAR SQUARE TUBULAR PACKAGE
表面贴装 YES NO YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
模拟集成电路 - 其他类型 SINGLE-ENDED MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER -
JESD-30 代码 S-CQCC-N20 R-GDIP-T16 S-CQCC-N20 -
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V -
信道数量 8 4 4 -
功能数量 1 1 1 -
标称断态隔离度 50 dB 50 dB 50 dB -
最大通态电阻 (Ron) 300 Ω 300 Ω 300 Ω -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装代码 QCCN DIP QCCN -
封装等效代码 LCC20,.35SQ DIP16,.3 LCC20,.35SQ -
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 +-15 V +-15 V +-15 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大信号电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A -
最大供电电流 (Isup) 2.4 mA 2.4 mA 2.4 mA -
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V -
最长断开时间 500 ns 500 ns 500 ns -
最长接通时间 500 ns 500 ns 500 ns -
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE -
技术 CMOS CMOS CMOS -
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY -
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD -
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm -
端子位置 QUAD DUAL QUAD -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -

 
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