Dual-Port SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCJ, PGA68,11X11 |
| 针数 | 68 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 24.2062 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 68 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | PGA68,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.285 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 24.2062 mm |
| IDT7007L15JG | IDT7007L55PF | IDT7007L55J | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Dual-Port SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68 | Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | Dual-Port SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | LCC | QFP | LCC |
| 包装说明 | QCCJ, PGA68,11X11 | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68 |
| 针数 | 68 | 80 | 68 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 15 ns | 55 ns | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | S-PQFP-G80 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e3 | e0 | e0 |
| 长度 | 24.2062 mm | 14 mm | 24.2062 mm |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 3 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 68 | 80 | 68 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | LQFP | QCCJ |
| 封装等效代码 | PGA68,11X11 | QFP80,.64SQ | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | FLATPACK, LOW PROFILE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 240 | 225 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm | 1.6 mm | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.005 A | 0.005 A | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.285 mA | 0.23 mA | 0.23 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | J BEND | GULL WING | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 0.65 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 20 | 30 |
| 宽度 | 24.2062 mm | 14 mm | 24.2062 mm |
| 其他特性 | - | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN | INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
| 可输出 | - | YES | YES |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
