IC QUAD OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, CQCC20, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 90 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 4000 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 220 |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最小摆率 | 7 V/us |
| 标称压摆率 | 9 V/us |
| 最大压摆率 | 1 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | JFET |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
| 最小电压增益 | 20000 |
| 宽度 | 8.89 mm |
| OP482ARC/883 | OP482AY/883 | |
|---|---|---|
| 描述 | IC QUAD OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, CQCC20, Operational Amplifier | IC QUAD OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERAMIC, DIP-14, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QLCC | DIP |
| 针数 | 20 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA | 0.0001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA | 0.0001 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 90 dB | 90 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 4000 µV | 4000 µV |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 8.89 mm | 19.43 mm |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 20 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP14,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 220 | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 2.54 mm | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 7 V/us | 7 V/us |
| 标称压摆率 | 9 V/us | 9 V/us |
| 最大压摆率 | 1 mA | 1 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | JFET | JFET |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz | 4000 kHz |
| 最小电压增益 | 20000 | 20000 |
| 宽度 | 8.89 mm | 7.62 mm |
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