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IDT7005S55FB

产品描述Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, QFP-68
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文件大小261KB,共20页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7005S55FB概述

Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, QFP-68

IDT7005S55FB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, QFP-68
针数68
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XQFP-F68
JESD-609代码e0
长度24.0792 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码QFF
封装等效代码QFL68,.95SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.683 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度24.0792 mm
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