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BR6264P-100

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小34KB,共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BR6264P-100概述

Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, DIP-28

BR6264P-100规格参数

参数名称属性值
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
长度37.1 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.25 mm
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
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