71V632S6PFI,71V632S6PFI pdf中文资料,71V632S6PFI引脚图,71V632S6PFI电路-Datasheet-电子工程世界

71V632S6PFI: 产品描述Cache SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小273KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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71V632S6PFI概述

Cache SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

71V632S6PFI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991
最长访问时间	6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	32
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
宽度	14 mm

71V632S6PFI相似产品对比

	71V632S6PFI	71V632S7PF	WBDDSS8-A-00-2180-D-A	71V632S5PF	71V632S5PFI	71V632S6PF
描述	Cache SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Array/Network Resistor, Isolated, 0.1W, 218ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, 1408,	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991	3A991	EAR99	3A991	3A991	3A991
端子数量	100	100	16	100	100	100
最高工作温度	85 °C	70 °C	150 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	SMT	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	QFP	-	QFP	QFP	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	-	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数	100	100	-	100	100	100
最长访问时间	6 ns	7 ns	-	5 ns	5 ns	6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz	66 MHz	-	100 MHz	100 MHz	83 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	-	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	-	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	-	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	-	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	32	32	-	32	32	32
湿度敏感等级	3	3	-	3	3	3
功能数量	1	1	-	1	1	1
字数	65536 words	65536 words	-	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	-	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	64KX32	64KX32	-	64KX32	64KX32	64KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	-	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	-	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	-	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	-	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	-	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.18 mA	0.16 mA	-	0.2 mA	0.2 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	-	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	-	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	-	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	-	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	14 mm	14 mm	-	14 mm	14 mm	14 mm

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