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IDT7034L20PF

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
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文件大小198KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7034L20PF概述

Dual-Port SRAM, 4KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

IDT7034L20PF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度73728 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量100
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm

IDT7034L20PF相似产品对比

IDT7034L20PF IDT7034L15PF IDT7034S15PF IDT7034S20PF
描述 Dual-Port SRAM, 4KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 4KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 4KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 4KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数 100 100 100 100
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 20 ns 15 ns 15 ns 20 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 73728 bit 73728 bit 73728 bit 73728 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 100 100 100 100
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX18 4KX18 4KX18 4KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP
封装等效代码 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.0015 A 0.0015 A 0.015 A 0.015 A
最小待机电流 2 V 2 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.24 mA 0.26 mA 0.31 mA 0.29 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm

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