DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SK Hynix(海力士) |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N260 |
| 长度 | 69.6 mm |
| 内存密度 | 34359738368 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 260 |
| 字数 | 536870912 words |
| 字数代码 | 512000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512MX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 座面最大高度 | 30.13 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.26 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 3.59 mm |
| HMA451S6AFR8N-TF | HMA451S6AFR8N-UH | HMA451S7AFR8N-TF | HMA451S7AFR8N-UH | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 | DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 | DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 | DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 | ROHS COMPLIANT, SODIMM-260 | DIMM, | DIMM, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N260 | R-XDMA-N260 | R-XDMA-N260 | R-XDMA-N260 |
| 长度 | 69.6 mm | 69.6 mm | 69.6 mm | 69.6 mm |
| 内存密度 | 34359738368 bit | 34359738368 bit | 38654705664 bit | 38654705664 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 | 72 | 72 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 260 | 260 | 260 | 260 |
| 字数 | 536870912 words | 536870912 words | 536870912 words | 536870912 words |
| 字数代码 | 512000000 | 512000000 | 512000000 | 512000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 512MX64 | 512MX64 | 512MX72 | 512MX72 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 | 260 |
| 座面最大高度 | 30.13 mm | 30.13 mm | 30.13 mm | 30.13 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.26 V | 1.26 V | 1.26 V | 1.26 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V | 1.14 V | 1.14 V | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 宽度 | 3.59 mm | 3.59 mm | 3.59 mm | 3.59 mm |
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