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XSD215

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小24KB,共2页
制造商SIPEX
官网地址http://www.sipex.com/
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XSD215概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

XSD215规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SIPEX
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.05 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度125 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.2 W

XSD215相似产品对比

XSD215 XSD211 XSD213
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SIPEX SIPEX SIPEX
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.2 W 1.2 W 1.2 W
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