Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SIEMENS |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | CHOPPER SWITCH |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 100 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6.2 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-PUFM-X7 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 7 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1000 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大开启时间(吨) | 220 ns |
标称接通时间 (ton) | 180 ns |
VCEsat-Max | 3.3 V |
BSM100GAL120D | BSM100GB120D | |
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描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
厂商名称 | SIEMENS | SIEMENS |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 100 A | 100 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6.2 V | 6.2 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
JESD-30 代码 | R-PUFM-X7 | R-PUFM-X7 |
元件数量 | 1 | 2 |
端子数量 | 7 | 7 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1000 W | 1000 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER | UPPER |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
最大开启时间(吨) | 220 ns | 220 ns |
标称接通时间 (ton) | 180 ns | 180 ns |
VCEsat-Max | 3.3 V | 3.3 V |
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