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BSM100GAL120D

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小348KB,共8页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BSM100GAL120D概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

BSM100GAL120D规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Codeunknown
其他特性CHOPPER SWITCH
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)100 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6.2 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PUFM-X7
元件数量1
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1000 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
最大开启时间(吨)220 ns
标称接通时间 (ton)180 ns
VCEsat-Max3.3 V

BSM100GAL120D相似产品对比

BSM100GAL120D BSM100GB120D
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
厂商名称 SIEMENS SIEMENS
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 100 A 100 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 6.2 V 6.2 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X7 R-PUFM-X7
元件数量 1 2
端子数量 7 7
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 1000 W 1000 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大开启时间(吨) 220 ns 220 ns
标称接通时间 (ton) 180 ns 180 ns
VCEsat-Max 3.3 V 3.3 V
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