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KSC2316Y-C

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小227KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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KSC2316Y-C概述

Transistor

KSC2316Y-C规格参数

参数名称属性值
厂商名称SECOS
Reach Compliance Codecompliant

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KSC2316
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free
4.9
±0.2
NPN Silicon
General Purpose Transistor
TO-92L
3.9
±0.2
FEATURES
·
Driver stage amplifier
·
Complement to KSA916
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
120
120
5
800
900
150
-55-150
Units
V
V
V
mA
mW
2.0
+0.3
–0.2
14
±0.2
1.0
±0.1
8.0
±0.2
0.45
+0.1
–0.1
(1.27
Typ.)
0.40
+0.05
–0.05
1.4
+0.2
–0.2
1 2 3
2.54
±0.1
1: Emitter
2: Collector
3: Base
Unit: mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE(1)
DC current gain
h
FE(2)
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
V
CE(sat)
f
T
C
ob
unless
Test
otherwise
specified)
MIN
120
120
5
0.1
60
80
240
1
120
30
V
MHz
pF
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
µA
conditions
I
C
=1mA, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=1mA, I
C
=0
V
CB
=120V, I
E
=0
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
CLASSIFICATION OF
Rank
Range
h
FE(2)
O
80-160
Y
120-240
http://www.SeCoSGmbH.com/
17-May-2007 Rev. A
Any changing of specification will not be informed individual
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描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
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