Dual-Port SRAM, 256KX18, 3.6ns, CMOS, CBGA256, 17 X 17 MM X 1.4 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, BGA256,16X16,40 |
针数 | 256 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 3.6 ns |
其他特性 | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-CBGA-B256 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 17 mm |
内存密度 | 4718592 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 256 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | LBGA |
封装等效代码 | BGA256,16X16,40 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2.5,2.5/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.7 mm |
最大待机电流 | 0.02 A |
最小待机电流 | 2.4 V |
最大压摆率 | 0.51 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 17 mm |
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